サムスン電子が2027年に1.4nmプロセス導入へ、台湾TSMC・米インテルとの競争激化見込み＝韓国報道

サムスン電子は3日（現地時間）、米国で開催した「サムスン・ファウンドリー・フォーラム2022」で、ファウンドリー（半導体の受託製造）の新技術と事業戦略を明らかにした。

同社は次世代トランジスタであるGAA（Gate All Around）関連の技術革新を続け、2025年には2ナノミリメートル、2027年には1.4ナノミリメートル製造プロセスを導入する計画であるとした。

これと同時に、2.5D（2.5次元）・3D（3次元）集積化によるパッケージング技術の開発も加速させる。3ナノミリメートルのGAA技術にサムスン独自の「MBCFET（Multi Bridge Channel FET）」構造を適用する一方、3D ICソリューションも提供し高性能ファウンドリーサービスを提供する予定だ。

また高性能コンピューティング（HPC）、自動車用半導体、第5世代（5G）移動通信、モノのインターネット（IoT）といった高性能かつ低電力の半導体市場を積極的に開拓し、2027年までモバイルを除く製品群の売上高の割合を50%以上へと引き上げる。

このため6月、3ナノミリメートルプロセス基盤のHPC製品を量産したのに続き、4ナノミリメートルプロセスをHPCおよび自動車用半導体へと拡大する。現在量産している28ナノミリメートルの自動車用埋め込みフラッシュメモリー（eNVM）ソリューションを、2024年には14ナノミリメートルへと拡大。8ナノミリメートルのeNVM技術も開発中だ。